SIZF640DT-T1-GE3

SIZF640DT-T1-GE3

Número de pieza: SIZF640DT-T1-GE3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 41A PWRPAIR
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.4V @ 250µA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerDFN
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 41A (Ta), 159A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.37mOhm @ 15A, 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 106nC @ 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5750pF @ 20V
  • Potencia - Máx 4.2W (Ta), 62.5W (Tc)
  • Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAIR® 6x5FS