SIZF906BDT-T1-GE3
Número de pieza:
SIZF906BDT-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.2V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Configuración 2 N-Channel (Dual), Schottky
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PowerPair® (6x5)
- Potencia - Máx 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V