SIZF906DT-T1-GE3
Número de pieza:
SIZF906DT-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TA)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 60A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.2V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PowerPair® (6x5)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
- Potencia - Máx 38W (Tc), 83W (Tc)