SIZF918BDT-T1-GE3
Número de pieza:
SIZF918BDT-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.2V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PowerPair® (6x5)
- Potencia - Máx 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 25A (Ta), 73A (Tc), 41A (Ta), 158A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 10A, 10V, 1.4Ohm @ 15A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 29nC @ 10V, 77nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1290pF @ 15V, 3350pF @ 15V