SIZF918DT-T1-GE3
Número de pieza:
SIZF918DT-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Configuración 2 N-Channel (Dual), Schottky
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PowerPair® (6x5)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 23A (Ta), 40A (Tc), 35A (Ta), 60A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.4V @ 250µA, 2.3V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 22nC @ 10V, 56nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1060pF @ 15V, 2650pF @ 15V
- Potencia - Máx 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 3.7W (Ta), 50W (Tc)