SQ4917CEY-T1_GE3
Número de pieza:
SQ4917CEY-T1_GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 8A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Configuración 2 P-Channel (Dual)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 65nC @ 10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4.3A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1910pF @ 30V
- Potencia - Máx 5W (Tc)