SQJ118EP-T1_GE3
Número de pieza:
SQJ118EP-T1_GE3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100V (D-S)
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 38A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 500W (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 250µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2930 pF @ 25 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 47 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® SO-8
- Paquete / Carcasa PowerPAK® SO-8
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 19.7mOhm @ 15A, 10V