SQJ166ELP-T1_GE3
Número de pieza:
SQJ166ELP-T1_GE3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 29 nC @ 10 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 67A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 89W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® SO-8
- Paquete / Carcasa PowerPAK® SO-8
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 20A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1903 pF @ 25 V