SQJ958EP-T1_GE3
Número de pieza:
SQJ958EP-T1_GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Potencia - Máx 35W
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 23nC @ 10V
- Paquete / Carcasa PowerPAK® SO-8 Dual
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® SO-8 Dual
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 34.9mOhm @ 4.5A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1075pF @ 30V