SQJA61EP-T1_GE3
Número de pieza:
SQJA61EP-T1_GE3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Tipo de FET P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4800 pF @ 25 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 68W (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 75 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® SO-8
- Paquete / Carcasa PowerPAK® SO-8
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 54.5A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 12.1mOhm @ 10A, 10V