SQJQ900E-T1_GE3
Número de pieza:
SQJQ900E-T1_GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 100A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 120nC @ 10V
- Potencia - Máx 75W
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5900pF @ 20V
- Paquete / Carcasa PowerPAK® 8 x 8 Dual
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® 8 x 8 Dual