SQS110ENW-T1_GE3
Número de pieza:
SQS110ENW-T1_GE3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100V (D-S)
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 57A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 51 nC @ 10 V
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Disipación de Potencia (Máx.) 119W (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 13.2mOhm @ 10A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® 1212-8SLW
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3449 pF @ 25 V