SQS966ENW-T1_GE3
Número de pieza:
SQS966ENW-T1_GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 8.8nC @ 10V
- Potencia - Máx 27.8W (Tc)
- Paquete / Carcasa PowerPAK® 1212-8W Dual
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® 1212-8W Dual
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 36mOhm @ 1.25A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 572pF @ 25V