SQUN702E-T1_GE3
Número de pieza:
SQUN702E-T1_GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Paquete / Carcasa Die
- Proveedor Dispositivo Paquete Die
- Configuración N and P-Channel, Common Drain
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40V, 200V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A (Tc), 20A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 23nC @ 20V, 14nC @ 20V, 30.2nC @ 100V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1474pF @ 20V, 1450pF @ 20V, 1302pF @ 100V
- Potencia - Máx 48W (Tc), 60W (Tc)