SSM3K121TU,LF
Número de pieza:
SSM3K121TU,LF
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación 150°C
- Vgs (Máx.) ±10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 500mW (Ta)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.2A (Ta)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 400 pF @ 10 V
- Paquete / Carcasa 3-SMD, Flat Leads
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 1.5V, 4V
- Proveedor Dispositivo Paquete UFM
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 5.9 nC @ 4 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 48mOhm @ 2A, 4V