SSM6L09FUTE85LF
Número de pieza:
SSM6L09FUTE85LF
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Estado de la Pieza Not For New Designs
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- FET Característica Logic Level Gate
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Paquete / Carcasa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Potencia - Máx 300mW
- Proveedor Dispositivo Paquete US6
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 400mA, 200mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 700mOhm @ 200MA, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.8V @ 100µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 20pF @ 5V