SSM6L13TU(T5L,F,T)
Número de pieza:
SSM6L13TU(T5L,F,T)
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 800mA (Ta)
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Potencia - Máx 500mW
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
- Paquete / Carcasa 6-SMD, Flat Leads
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA
- Proveedor Dispositivo Paquete UF6
- FET Característica Logic Level Gate, 1.8V Drive
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 268pF @ 10V, 250pF @ 10V