SSM6L14FE(TE85L,F)

SSM6L14FE(TE85L,F)

Número de pieza: SSM6L14FE(TE85L,F)
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Temperatura de Operación 150°C
  • Configuración N and P-Channel
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
  • Paquete / Carcasa SOT-563, SOT-666
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA
  • Proveedor Dispositivo Paquete ES6
  • FET Característica Logic Level Gate, 1.5V Drive
  • Potencia - Máx 150mW (Ta)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 800mA (Ta), 720mA (Ta)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 90pF @ 10V, 110pF @ 10V