SSM6L16FETE85LF
Número de pieza:
SSM6L16FETE85LF
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Estado de la Pieza Not For New Designs
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
- Potencia - Máx 150mW
- Paquete / Carcasa SOT-563, SOT-666
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 100mA
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.1V @ 100µA
- Temperatura de Operación 150°C (TA)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3Ohm @ 10mA, 4V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9.3pF @ 3V
- Proveedor Dispositivo Paquete ES6