SSM6L35FE,LM
Número de pieza:
SSM6L35FE,LM
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A ES6
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- FET Característica Logic Level Gate
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
- Potencia - Máx 150mW
- Paquete / Carcasa SOT-563, SOT-666
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA
- Proveedor Dispositivo Paquete ES6
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 180mA, 100mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3Ohm @ 50mA, 4V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9.5pF @ 3V