SSM6L56FE,LM
Número de pieza:
SSM6L56FE,LM
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 800mA (Ta)
- Temperatura de Operación 150°C
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1nC @ 10V
- Paquete / Carcasa SOT-563, SOT-666
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA
- Proveedor Dispositivo Paquete ES6
- FET Característica Logic Level Gate, 1.5V Drive
- Potencia - Máx 150mW (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 55pF @ 10V, 100pF @ 10V