SSM6L807R,LF
Número de pieza:
SSM6L807R,LF
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación 150°C
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4A (Ta)
- Paquete / Carcasa 6-SMD, Flat Leads
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-TSOP-F
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
- Potencia - Máx 1.4W (Ta)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V