SSM6L820R,LF

SSM6L820R,LF

Número de pieza: SSM6L820R,LF
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación 150°C
  • Configuración N and P-Channel
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4A (Ta)
  • Paquete / Carcasa 6-SMD, Flat Leads
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V, 20V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 6-TSOP-F
  • Potencia - Máx 1.4W (Ta)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @ 4.5V