SSM6N17FU(TE85L,F)

SSM6N17FU(TE85L,F)

Número de pieza: SSM6N17FU(TE85L,F)
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación 150°C
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 50V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
  • Paquete / Carcasa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 1µA
  • Proveedor Dispositivo Paquete US6
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 20Ohm @ 10mA, 4V
  • Potencia - Máx 200mW (Ta)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 7pF @ 3V