SSM6N357R,LF
Número de pieza:
SSM6N357R,LF
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación 150°C
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 1mA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Paquete / Carcasa 6-SMD, Flat Leads
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 650mA (Ta)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1.5nC @ 5V
- Potencia - Máx 1.5W (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-TSOP-F
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 60pF @ 12V