SSM6N39TU,LF
Número de pieza:
SSM6N39TU,LF
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 1.6A UF6
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación 150°C
- Potencia - Máx 500mW
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
- Paquete / Carcasa 6-SMD, Flat Leads
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA
- Proveedor Dispositivo Paquete UF6
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 260pF @ 10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 119mOhm @ 1A, 4V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 7.5nC @ 4V