SSM6N42FE(TE85L,F)
Número de pieza:
SSM6N42FE(TE85L,F)
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Potencia - Máx 150mW
- Paquete / Carcasa SOT-563, SOT-666
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2nC @ 4.5V
- Proveedor Dispositivo Paquete ES6
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 800mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 240mOhm @ 500mA, 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 90pF @ 10V