SSM6N61NU,LF
Número de pieza:
SSM6N61NU,LF
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6UDFNB
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Potencia - Máx 2W
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4A
- Paquete / Carcasa 6-WDFN Exposed Pad
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 410pF @ 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-UDFNB (2x2)
- FET Característica Logic Level Gate, 1.5V Drive
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 33mOhm @ 4A, 4.5V