SSM6N62TU,LXHF

SSM6N62TU,LXHF

Número de pieza: SSM6N62TU,LXHF
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 800mA (Ta)
  • Temperatura de Operación 150°C
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Paquete / Carcasa 6-SMD, Flat Leads
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2nC @ 4.5V
  • Proveedor Dispositivo Paquete UF6
  • FET Característica Logic Level Gate, 1.2V Drive
  • Potencia - Máx 500mW (Ta)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 85mOhm @ 800mA, 4.5V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 177pF @ 10V