SSM6N7002KFU,LXH
Número de pieza:
SSM6N7002KFU,LXH
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Temperatura de Operación 150°C
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Paquete / Carcasa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.1V @ 250µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
- Proveedor Dispositivo Paquete US6
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 100mA, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 40pF @ 10V
- Potencia - Máx 285mW (Ta)