SSM6N813R,LF

SSM6N813R,LF

Número de pieza: SSM6N813R,LF
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Paquete / Carcasa 6-SMD, Flat Leads
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 100µA
  • Temperatura de Operación 175°C
  • Potencia - Máx 1.5W (Ta)
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 6-TSOP-F
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3.5A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 242pF @ 15V