SSM6N951L,EFF
Número de pieza:
SSM6N951L,EFF
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Temperatura de Operación -
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id -
- Potencia - Máx -
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
- Paquete / Carcasa 6-SMD, No Lead
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 12V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 8A
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-TCSPA (2.14x1.67)