SSM6P69NU,LF
Número de pieza:
SSM6P69NU,LF
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación 150°C
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Configuración 2 P-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4A (Ta)
- Paquete / Carcasa 6-WDFN Exposed Pad
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-µDFN (2x2)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.2V @ 1mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 480pF @ 10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.5A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 6.74nC @ 4.5V
- FET Característica Logic Level Gate, 1.8V Drive
- Potencia - Máx 1W (Ta)