STH65N050DM9-7AG
Número de pieza:
STH65N050DM9-7AG
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Vgs (Máx.) ±30V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 51A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 100 nC @ 10 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 266W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete H2PAK-7
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 50mOhm @ 25.5A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4680 pF @ 400 V