TK024N60Z1,S1F
Número de pieza:
TK024N60Z1,S1F
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación 150°C
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 600 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 140 nC @ 10 V
- Vgs (Máx.) ±30V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 80A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 24mOhm @ 33A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 3.84mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8420 pF @ 300 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 506W (Tc)