TK080N60Z1,S1F
Número de pieza:
TK080N60Z1,S1F
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
600V DTMOS6 TO-247 80MOHM
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación 150°C
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 600 V
- Vgs (Máx.) ±30V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 43 nC @ 10 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A (Ta)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247
- Disipación de Potencia (Máx.) 211W (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 80mOhm @ 10.3A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1.17mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2510 pF @ 300 V