TK099U60Z1,RQ
Número de pieza:
TK099U60Z1,RQ
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación 150°C
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 600 V
- Vgs (Máx.) ±30V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 36 nC @ 10 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 25A (Ta)
- Disipación de Potencia (Máx.) 176W (Tc)
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2050 pF @ 300 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TOLL
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 99mOhm @ 8.1A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 930µA