TK9R6E15Q5,S1X
Número de pieza:
TK9R6E15Q5,S1X
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
150V UMOS10-HSD TO-220 9.6MOHM
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-220-3
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-220
- Disipación de Potencia (Máx.) 200W (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 150 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 8V, 10V
- Temperatura de Operación 175°C
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 1.1mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3690 pF @ 75 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 104A (Ta), 52A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 26A, 10V