TP65H070G4QS-TR
Número de pieza:
TP65H070G4QS-TR
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Transphorm
Descripción:
650 V 29 A GAN FET
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 29A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 96W (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 85mOhm @ 16A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 8.4 nC @ 10 V
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.8V @ 700µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 600 pF @ 400 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TOLL