TP65H100G4PS
Número de pieza:
TP65H100G4PS
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Transphorm
Descripción:
Hi Volt FETs
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-220AB
- Paquete / Carcasa TO-220-3
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 14.4 nC @ 10 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 110mOhm @ 12A, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 65.8W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 18.9A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.1V @ 1.8mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 818 pF @ 400 V