TPC8212-H(TE12LQ,M
Número de pieza:
TPC8212-H(TE12LQ,M
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP (5.5x6.0)
- Potencia - Máx 450mW
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 16nC @ 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 840pF @ 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.3V @ 1mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 21mOhm @ 3A, 10V