TPC8213-H(TE12LQ,M

TPC8213-H(TE12LQ,M

Número de pieza: TPC8213-H(TE12LQ,M
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Temperatura de Operación 150°C (TJ)
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • FET Característica Logic Level Gate
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 5A
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11nC @ 10V
  • Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP (5.5x6.0)
  • Potencia - Máx 450mW
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.3V @ 1mA
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 625pF @ 10V