TPC8221-H,LQ(S

TPC8221-H,LQ(S

Número de pieza: TPC8221-H,LQ(S
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación 150°C (TJ)
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 12nC @ 10V
  • Potencia - Máx 450mW
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.3V @ 100µA
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 830pF @ 10V