TPD3215M
Número de pieza:
TPD3215M
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Transphorm
Descripción:
MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Through Hole
- FET Característica -
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete Module
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 70A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 600V
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 34mOhm @ 30A, 8V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 28nC @ 8V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2260pF @ 100V
- Potencia - Máx 470W