TPH2R306PL1,LQ
Número de pieza:
TPH2R306PL1,LQ
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
60V UMOS9-H SOP ADVANCE(N) 2.3MO
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 60 nC @ 10 V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Temperatura de Operación 175°C
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 500µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5435 pF @ 30 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP Advance (5x5.75)
- Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Ta), 170W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 190A (Ta), 100A (Tc)