TPH2R408QM,LQ

TPH2R408QM,LQ

Número de pieza: TPH2R408QM,LQ
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: 80V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 2.4
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 1mA
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 87 nC @ 10 V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP Advance (5x5)
  • Temperatura de Operación 175°C
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.43mOhm @ 50A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8300 pF @ 40 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Ta), 210W (Tc)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 200A (Ta), 120A (Tc)