TPH4R008NH1,LQ
Número de pieza:
TPH4R008NH1,LQ
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación 150°C
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 59 nC @ 10 V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 170W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5300 pF @ 40 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP Advance (5x5.75)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 146A (Ta), 116A (Tc)