TPH8R808QM,LQ
Número de pieza:
TPH8R808QM,LQ
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 26 nC @ 10 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Temperatura de Operación 175°C
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 300µA
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP Advance (5x5.75)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 79A (Ta), 52A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 26A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1750 pF @ 40 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Ta), 109W (Tc)