TPM7R10CQ5,LQ

TPM7R10CQ5,LQ

Número de pieza: TPM7R10CQ5,LQ
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: N-CH MOSFET, 150 V, 0.0071 @10V,
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 150 V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 57 nC @ 10 V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 8V, 10V
  • Temperatura de Operación 175°C
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 1.2mA
  • Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Ta), 250W (Tc)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 13A (Ta), 120A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 35A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6800 pF @ 75 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP Advance (4.9x5.75)