TQM048NH10CR

TQM048NH10CR

Número de pieza: TQM048NH10CR
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción: 100V, 100A, SINGLE N-CHANNEL AUT
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 35 nC @ 10 V
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 7V, 10V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.6V @ 250µA
  • Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 17A (Ta), 100A (Tc)
  • Disipación de Potencia (Máx.) 224W (Tc)
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-PDFNU (4.9x5.75)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2490 pF @ 60 V